Полупроводниковый транзистор

С помощью соответствующих примесей в кристалле германия или кремния создают три области р-п-р или п-р-п, которые равноценны по своим параметрам, но кристаллы р-п-р-типа применяются чаще, потому, что они проще в изготовлении.

Оба р-п-перехода соединяют с двумя источниками тока. При этом переход «эмиттер-база» включают в прямом (пропускном) направлении, а переход «коллектор-база» - в обратном (запирающем).

Пока цепь эмиттера разомкнута, в цепи коллектора ток очень мал. Как только замыкают цепь эмиттера, «дырки» - основные носители эмиттера – переходят из него в очень узкую () п-область базы, откуда большая их часть () проходят в р-область к коллектору, образуя коллекторный ток. Остальные дырки образуют ток базы.

I_Э – I_Б – I_К = 0

(Принято ток, направленный к транзистору, считать положительным).

Схема с общей базой

I_K = A^.I_Э, где А = 0,95 – 0,995 – коэффициент усиления по току.

и Тогда

Транзистор в схеме с общей базой работает как усилитель мощности т.е. небольшие изменения входной мощности вызывают большие изменения выходной мощности.

22 – 8

Схема с общим эмиттером (применяется наиболее часто)

В – коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером.

и

Тогда

Широкое применение полупроводниковых приборов началось с того, что электронные лампы не стали справляться с высокими частотами в радиолокационной технике.