<<
>>

Лазерные светоиспускающие диоды

В таких диодах необходимо создать инверсную заселённость (много электронов в возбуждённом состоянии и мало в основном).

Для этого в качестве материалов р-п-перехода используют вырожденные полупроводники, в которых обеспечивается очень высокая концентрация основных носителей. В таких полупроводниках можно обеспечивать условие инверсной заселённости (много электронов (N2el) в возбуждённом состоянии и мало в основном состоянии (N1el)) в области р-п-перехода.

В качестве зеркал лазерного резонатора используют отполированные торцы самого полупроводникового кристалла. Одно из них делают частично прозрачным (нижнее на рисунке) для выхода излучения из резонатора.

Лазерные диоды – миниатюрны, экономичны, обеспечивают достаточно сильный световой поток. Их используют в оптических устройствах записи и чтения информации, лазерных принтерах, системах передачи информации по световолоконным кабелям и т.д.

Источники тока на р-п-переходе

1) Полупроводниковые солнечные элементы.

22 – 6

Поглощённый в области р-п-перехода квант электромагнитного излучения создаёт пару электрон-дырка. Электрическое поле перемещает электрон в п-область, а дырку в р-область.

При постоянном облучении р-п-перехода потоком фотонов в р-области накапливаются дырки, а в п-области накапливаются электроны и в цепи через нагрузку начинает течь ток.

Технически полупроводниковые солнечные элементы обычно получают в виде пластины полупроводника р-типа, на которую нанесён тонкий прозрачный слой металла, который можно считать аналогом полупроводника п-типа. Затем на слой металла наносят прозрачное защитное покрытие. Один элемент обычно обеспечивает напряжение порядка долей вольта и ток в несколько миллиампер. Для обеспечения необходимой мощности элементы соединяют последовательно и параллельно в батарею большой площади.

2) Полупроводниковые тепловые элементы.

Принцип работы полупроводниковых тепловых элементов аналогичен работе полупроводниковых солнечных элементов с тем отличием, что в области р-п-перехода пары электрон- дырка образуются за счёт его нагрева.

Рекомбинация пар электрон-дырка сопровождаются выделением теплоты, поэтому требуется теплоотвод к радиатору или теплообменнику.

Подобную схему можно использовать в работе полупроводниковых охладителей – устройств, при пропускании тока через которые происходит охлаждение одной стороны устройства и нагрев другой.

22 – 7

<< | >>
Источник: Косогоров А.В.. Лекции по квантовой физике, ядерной физике и физике твердого тела.

Еще по теме Лазерные светоиспускающие диоды:

  1. Комбинационное(рамановское) рассеяние света
  2. Атомно-силовая микроскопия
  3. ПРИЛОЖЕНИЕ
  4. Формирование представлений о личностных и профессионально важных качествах идеального школьного учителя в 1900-1920 гг.
  5. Право на удовлетворение иска и право на получение судебной защиты
  6. Психолингвистический анализ современной медианоминации
  7. 21. Исполнение опекунами и попечителями обязанностей в отношении подопечного. Распоряжение и доверительное управление имуществом подопечного.
  8. Статистика влияния типа грунтов на распространение КРН
  9. 53. Оспоримые сделки: основания, условия, последствия и момент недействительности.
  10. Моделирование методом конечных элементов. Численный эксперимент
  11. Химченко Алексей Игоревич. ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЩЕСТВО: ПРАВОВЫЕ ПРОБЛЕМЫ В УСЛОВИЯХ ГЛОБАЛИЗАЦИИ. Диссертация на соискание ученой степени кандидата юридических наук. Москва - 2014, 2014
  12. Комбинационные резонансы аддитивно-разностного типа
  13. Заячковский О.А., Маскаева И.И., Усенко Ю.Н.. Теория государства и права: учебное пособие. — Ка­лининград: Изд-во БФУ им. И. Канта,2011. — 272 с., 2011
  14. Модели движения воздуха в воздушных пространствах конструкций вентфасадов при турбулентном режиме
  15. Моделирование теплопотерь в конструкции вентфасада с учетом скорости ветра и термического сопротивления вентилируемого воздушного пространства с отражательной теплоизоляцией