Эффект Холла в полупроводниках

В полупроводниках так же как и в металлах наблюдается эффект Холла, т.е. возникновение разности потенциалов в направлении перпендикулярному взаимно перпендикулярным векторам магнитного поля и плотности электрического тока , а вдоль стороны в направлен вектор магнитной индукции .

В акцепторном полупроводнике с плотностью тока связана дрейфовая скорость движения дырок .

Дырки под действием магнитной составляющей силы Лоренца

начнут собираться на ближней грани, где будет формироваться избыток положительного заряда, а на задней грани – избыток отрицательного заряда. Эти заряды создают электрическое поле , которое препятствует движению дырок вдоль оси Z , действуя на них с силой Когда силы и уравновесятся, процесс накопления заряда прекратится и установится значение , соответствующее значениям и .

Условие равновесия: .

Учитывая, что получаем , где

R – постоянная Холла (R>0 для акцепторного полупроводника).

Для донорного полупроводника , где R