<<
>>

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

ХИТ - химический источник тока

СК АБ - свинцово-кислотная аккумуляторная батарея

СКЭ - свинцово-кислотный элемент

1BS - одноосновный сульфат свинца PbO∙PbSO4

3BS -трехосновный сульфат свинца 3PbO∙PbSO4∙H2O

4BS - четырехосновный сульфат свинца 4PbO∙PbSO4

ГЦ - гидроцеррусит PbCO3-Pb(OH)2

АМ - активная масса

ПАМ - положительная активная масса

ОАМ - отрицательная активная масса

ПЭМ - положительный электродный материал

ОЭМ - отрицательный электродный материал

SoC - степень заряженности (State of Charge)

DoD - степень разряженности (Depth of Discharge)

HEV - Hybrid Electric Vehicle (автомобиль, приводимый в движение гибрид­ной силовой установкой)

ОУНТ - одностенные углеродные нанотрубки

МУНТ - многостенные углеродные нанотрубки

ТУ - технический углерод

ГУ - гибридный углерод

РГ - расширенный графит

УНМ - углеродный наноструктурный материал

ПАНИ - полианилин

СЭМ - сканирующая электронная микроскопия

КРС - комбинационное рассеяние света

АСМ - атомно-силовая микроскопия

РФС - рентгенофлуоресцентный анализ

РФА - рентгенофазовый анализ

ИКС - инфракрасная Фурье спектроскопия

ЭДА - энергодисперсионный анализа

РЦН - Региональный центр нанотехнологий

SEI - Second Electron Irradiation (детектор вторичных электронов)

BES - Back Electron Scattering (детектор обратно рассеянных электронов)

ICDDPDF-2 - база данных соединений для рентгенофазового анализа (International Center for Diffraction Data)

FWHM - полная ширина пика на половине высоты (полуширина) (Full Width on Half Maximum)

a, b, с, - параметры кристаллической решетки;

с0 - концентрация насыщенного раствора вещества (растворимость);

с(г) - концентрация вещества в растворе, равновесном с кристалликами раз­мером г;

Vm- молярный объем конденсированной фазы;

к - константа скорости реакции;

c- концентрация;

V - порядок реакции;

S- реакционная поверхность;

m- масса вещества;

M- молярная масса вещества;

I- ток;

t- время;

n- количество электронов, участвующих в электрохимической реакции;

F- число Фарадея (96485 Кл/моль);

Q- заряд;

Qt- джоулево тепло;

H- энтальпия;

G- свободная энергия Гиббса;

S- энтропия;

Ескэ - ЭДС;

Ест - стандартный электродный потенциал;

Ерред - уровень Ферми для электролита;

Ef- уровень Ферми для твердофазного электрода;

Ер - равновесный потенциал;

Епер - энергия перенасыщенного раствора

Екр - энергия активации кристаллизации

Екр - энергия сольватированных адатомов

Епд - энергией поверхностной диффузии

aox, ared- активности (концентрации с учетом различных взаимодействий) ве­ществ, участвующих в реакциях;

η - перенапряжение (поляризация);

ηi- перенапряжение на обоих электродах;

ηa - активационное;

ηr - реакционное;

ηd- диффузионное;

ηcr - кристаллизационное;

η∩ - омическое;

Λj - поток частиц от электрода;

D- коэффициент диффузии;

nch- число переноса зарядов z(отношение количества электричества, перене­сенного данным видом ионов, к общему количеству электричества, перене­сенного всеми ионами);

ci- концентрация компонента iпри протекании тока;

ср - концентрация компонента iпри равновесии.

ід- диффузионный ток;

i+- анодный ток;

i-- катодный ток;

d- толщина диффузионного слоя;

i0 - ток обмена;

α - коэффициент переноса;

Спр - концентрация перенасыщенного раствора;

снр - концентрация насыщенного раствора;

Di- коэффициент диффузии;

Ui- подвижность i-го вещества;

S'- удельная поверхность электрода в единице объема;

Кэл - скорость потока электролита через поры электрода,

Δi- скорость уменьшения i-го вещества в результате электродной или хими­ческой реакции;

φ1и φ2- значения потенциала в твёрдой фазе и растворе, соответственно;

φ - потенциал в данной точке поверхности электрода, относительно рас­твора;

σ1и σ2- доли поперечного сечения электрода, приходящиеся на твердую и жидкую фазы;

zi- валентность i-го компонента;

j, j1и j2- плотности тока, протекающего в любой заданной точке электрода, твердой фазе и порах;

κ1- электропроводность твердой фазы;

5пор - размер пор;

φ∏ - поверхностный потенциал;

φm - потенциал Штерна;

- толщина слоя Штерна;

<< | >>
Источник: Харсеев Виктор Алексеевич. ВЛИЯНИЕ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА. ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук. Курск - 2019. 2019

Еще по теме СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ:

  1. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
  2. Библиографический список
  3. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
  4. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
  5. Список литературы
  6. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
  7. Список литературы
  8. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
  9. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
  10. 36. Гражданско-правовое положение обществ с ограниченной и дополнительной ответственностью.
  11. Ставка восстановления как объясняющая переменная в моделях оценки кредитного риска и ценообразования облигаций
  12. 24. Средства индивидуализации юридических лиц.
  13. 2. Предмет гражданско-правового регулирования.
  14. Выводы по главе 1
  15. Общая характеристика исследования
  16. ВВЕДЕНИЕ
  17. § 1. Динамика изменения международного законодательства в сфере регулирования банковской тайны
  18. Уровень развития исследований и разработок химических источников тока
  19. Физические явления