Сканирующая (растровая) электронная микроскопия и энергодис­персионный элементный анализ

Морфологические особенности и изменения структуры поверхностей, перераспределения химических элементов в исследуемых электродных мате­риалах на различных этапах изготовления СК АБ в работе изучались на скани­рующем электронном микроскопе JSM-6610LV (JEOL, Japan).

Высокое пространственное разрешение СЭМ достигается за счет ис­пользования волн (волн де Бройля: λ = h/P- для электронов их длина опреде­ляется энергией ускоряющего поля, которое варьируется от нескольких кВ до МВ и составляет доли нм). Управление электронным пучком осуществляется магнитными и электрическими полями с помощью электронных линз. При развертке электронного пучка по поверхности образца его СЭМ изображение строится, как во вторичных, так и в обратно рассеянных электронах. Простран­ственное разрешение микроскопа в режиме высокого вакуума - 10^-4 мм рт. ст при ускоряющем напряжении 30 кВ достигает 3 нм. Реализован низковольт­ный режим (300 В) при вакууме-с 10^-2 мм рт. ст., что обеспечивает изучение биологических и органических объектов. Примеры СЭМ изображений были приведены и частично проанализированы на рисунках 2.3, 2.4, 2.9 - 2.12, 2.13, 2.18.

В СЭМ встроен детектор (20 мм²) для регистрации возбуждаемых элек­тронным пучком рентгеновских квантов, что позволяет получать распределе­ние химических элементов (от Be до Pu) на поверхности образца. Разрешение детектора в бездрейфовом режиме не хуже 127 эВ на линии Mn K_a1и 48 эВ на линии C K_a1. Результаты ЭДА представлены на рисунке 2.5 и 2.6.

2.5.3